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MDD MOSFETs 2N7002K数据手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.59 MB | 2023-11-02

MDD辰达半导体
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类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：930pC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：23.8pF@30V 反向传输电容(Crss@Vds)：1.5pF@30V 工作温度：+150℃@(Tj) 封装：SOT-23
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