×

共漏双n通道增强模场效应晶体管AO8810/L数据手册

消耗积分:0 | 格式: | 大小:0.17 MB | 2024-03-11

jf_66255030

分享资料个

概述
AO8810/L采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。它是ESD保护。AO8810和AO8810L的电性相同。-符合RoHS标准-AO8810L不含卤素

特征
VDS (V) = 20V
ID = 7 A (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 20mΩ (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 21mΩ (VGS = 4.0V)
RDS(ON) < 22mΩ (VGS = 3.1V)
RDS(ON) < 24mΩ (VGS = 2.5V)
RDS(ON) < 32mΩ (VGS = 1.8V)
ESD Rating: 2000V HBM

wKgaomXuvYaAJTpFAALDzCuxx0w929.pngwKgaomXuvamAOkFmAAICnkJMbdE958.pngwKgZomXuvamAXG01AANspzod93c010.pngwKgZomXuvamAdSx3AANHOSk7iEw394.pngwKgaomXuvamANKNSAABT8-8_rFg289.pngwKgaomXuvamANRMeAACHZDhUFMI156.png
下载并关注上传者 开通VIP，低至0.08元下载/次

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !