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超高集成度开关电源驱动芯片BP8523D数据手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.73 MB | 2024-04-25

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　　BP8523D 内部集成了 650V 高压 MOSFET、高压启动和自供电电路、电流来样电路、电压反馈电路以及续流二极管，采用先进的控制技术，无需外部 VCC 电容和环路补偿即可实现优异的恒压输出特性，极大地减少外围器件数量，节省系统成本和体积，同时提高可靠性。

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