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3~5 GHz超宽带可变增益CMOS低噪声放大器的设计
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2013-09-25
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基于TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺，设计了一款工作在3 GHz～5 GHz的增益连续可调CMOS低噪声放大器。采用RC电阻负反馈式结构以获得良好的输入匹配和噪声性能。通过改变第二级MOS管的偏流, 在工作频段内获得了36.5 dB的连续增益可调。
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