×

如何设计一款宽带单片集成低噪声放大器

消耗积分:1 | 格式:pdf | 大小:0.43 MB | 2020-02-23

ganhen918

分享资料个

基于 0.15μm GaAs pHEMT 工艺, 设计和制作了一款宽带单片集成低噪声放大器.放大器设计采用四级级联的拓扑 结构以获得高增益.芯片尺寸 2mm×1mm.实测性能指标为:工作频段 45 ～ 65GH z, 增益 18±1 .5dB, 输入驻波比小于 3, 输 出驻波比小于 2.3, 直流功耗 96mW .在增益、带宽和功耗上达到国际现有产品指标.该芯片可被应用于 60GHz 宽带无线通 信系统.

下载并关注上传者 开通VIP，低至0.08元下载/次

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !