EG1160 是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片,内部集成了 5V 线性电源、运放放大器、MOS 管峰值电流保护、VCC 欠压保护、VB 欠压保护、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,非常适合电源、电机等场合使用。
EG1160 高端的工作电压可达 600V,低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V~20,V 静态功耗小于 1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO +/- 2A/2.5A,采用 SOP16 封装。
EG1615 芯片是一款专用于双向逆变器(同一套电路可作逆变器功能,又可作电池充电器功能)中的 DC
o DC 逆变升压和电池充电管理的控制芯片,集成了两路 600V 半桥高压 MOS 驱动器,驱动器的输出电流能力为+/-2A,内置四路独立的逐周 PWM 关断保护,可有效防止在极端情况下过高的峰值电流而损坏 MOS 的情况,另外提供了两路 SD,分别为 SD1,和 SD2,SD1 是驱动器 1 HO1 和 LO1 的逐周关断引脚,SD2 是驱动器2 HO2 和 LO2 的逐周关断引脚,结合外部比较器和 SD 功能可实现过流或短路保护等功能。
EG1615 主要的功能由两部分组成,第一部分为逆变升压控制,主要实现将电池的低压直流电压转换为高压直流电压,供后级 DC/AC 逆变所需的高压;第二部分为充电器降压控制,主要实现将市电经 PFC 升压后的高压直流电压转换为低压直流电压,供电池充电所需的恒压恒流充电。
EG1615 采用了 LC 谐振型双有源桥(DAB)拓扑结构,能实现能量双向控制,结合 PWM 工作频率和 LC 谐振参数的匹配,可实现开关管的软开关控制,易于应用于高开关频率、高效率等场合。
EG1615 作逆变升压时,低压侧 H 桥的占空比为 50%,高压侧 H 桥用 MOS 内部的体二极管做整流输出,
电压反馈采用了浅闭环稳压模式(即空载最高电压限制,带载开环),有效防止空载时电压过高而导致烧器
件等现象,谐振参数由外部的 LC 进行调整,芯片可支持的 PWM 的工作频率为 40K-150KHz,高压侧串入的电
流互感器可用于输出短路保护。
EG1615 作充电降压时,高压侧 H 桥的占空比为 50%,低压侧 H 桥用 MOS 内部二极管做整流输出及 MOS
管自动跟踪同步整流功能,充电的恒压(CV)、恒流(CC)需 EG8026 中的 PFC 调压功能进行配合,高压侧
串入的电流互感器可用于输出短路保护
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