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新的650 V场阻IGBT感应加热，使更高的效率和可靠性
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2017-06-05
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新的650 V场阻IGBT感应加热，使更高的效率和可靠性
主要工作正在进行中，由电磁炉制造商增加最大功率和减少烹饪时间，同时也实现了系统效率高，符合严格的能源之星标准。
这些趋势创造选择在感应加热系统的临界功率半导体器件IGBT的合适的新要求。考虑到灶具可10-15年长的寿命，对IGBT应该是高效和高可靠性的能力提供低功耗的功能是为灶台的生活。
根据系统要求，650伏场阻止（FS）沟IGBTs，如fgh40t65shdf，是理想的软开关逆变技术的电磁炉和微波炉的应用。此外，650 V FS沟槽IGBT技术具有较低的导通损耗相比前600 V场停止平面IGBT技术由于低VCE（SAT）24%特点（图1）。一个额外的50 V击穿电压提供了更大的系统设计裕度和可靠性优势。
Lastly， the new 650 V FS trench IGBT also has lower Eoff， or tail losses， than previous generation 600 V Field-Stop planar IGBT （Figure 2）。
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