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CG2H80015D氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.68 MB | 2024-09-04

陈月言

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CG2H80015D是一种氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有优越的性能，包括更高的击穿电压、更高的过饱和电子漂移速度和更高的热导率。与硅和GaAs晶体管相比，氮化镓高迁移率晶体管具有更高的功率密度和更宽的带宽。

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