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CGHV1F006S氮化镓高电子迁移率晶体管规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:2.39 MB | 2023-07-28

陈月言

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Cree 的 CGHV1F006S 是一种无与伦比的氮化镓 （GaN） 高电子迁移率晶体管 （HEMT） 专为高效率、高增益和宽而设计带宽功能。该器件可部署为 L、S、C、X 和 Ku 波段放大器应用。数据表规格基于 C 波段 （5.5- 6.5 GHz）放大器。其他应用电路可用于 C 波段5.8 GHz - 7.2 GHz 和 X 波段为 7.9 - 8.4 GHz 和 8.5 - 9.6 GHz。The CGHV1F006S在 40 伏轨道电路上运行，同时安装在 3mm x 4mm 表面贴装中，双路扁平无铅 （DFN） 封装。在降低功率的情况下，晶体管可以工作低于 40V 至 20V VDD，保持高增益和效率。
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