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计算汽车功率MOSFET电压开关时间的三种方法
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2017-09-07
jfsteve
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本文的目的是为了在开关型汽车应用中给出功率MOSFET电压暂态时间的三种计算方法。gate-to-drain电容（CGD或crs）高非线性，不能轻易纳入工程计算。不同的计算方法是基于这种电容的不同近似。在这张纸币上将有两种这样的方法。第三种方法是基于gto -漏电荷定义。它将表明，PWM在汽车中的应用，例如在EPS等马达驱动器，EHPS，发动机冷却风扇，等等，它是不可缺少重要的使用部分Qgd和crs值很低。这使显著降低切换损失，同时，瞬变快，减少负面影响的逆变器空载（消隐时间）电机驱动性能。
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