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关于降压转换器中启动电阻器的设计注意事项

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.38MB | 2024-09-06

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随着电源效率变得越来越重要，需要更快的开关速度来降低效率损失。但是，随着开关速度的提高，必须考虑一 些权衡因素，例如显著的过冲、开关节点上的振铃电压和电磁干扰 (EMI)。振铃的幅度是高边 NFET 的开关速度 以及布局和器件封装中的寄生电感的函数。有多种方法可以减少振铃，使 MOSFET 开关保持在安全工作区域内， 并减少因此造成的 EMI 噪声，例如使用自举电阻器、高边栅极电阻器或 RC 缓冲器。 本应用手册重点介绍了使用自举电阻器控制开关节点振铃和优化 EMI 时的设计注意事项。
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