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晶体硅太阳电池反射率与折射率色散效应的关系
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2017-10-23
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为了分析色散效应对晶体硅太阳电池反射率的影响，在考虑材料折射率色散效应的情况下，运用光学干涉矩阵计算了具有SiO？ 单层减反射膜和MgFz /ZnS 双层减反射膜晶体硅太阳电池的反射率与波长的函数关系，并与实验结果和未考虑色散效应的计算结果进行了对比分析。结果表明： 考虑折射率色散效应的计算结果与实验测量数据完全相符，而未考虑折射率色散效应的计算结果与实验测量数据相差较大，最大差值分别为21.5%和16.9%.
减反射膜材料和晶体硅的折射率为了分析折射率色散效应对晶体硅太阳电池反射率的影响，必须先确定减反射膜材料和晶体硅的折射率色散关系。各种减反射膜材料和晶体硅的折射率随着波长的变化关系是完全不同的。图1绘出了SiO：.ZnS.MgFz.三种减反射膜材料和晶体硅的折射率色散关系曲线！13- 151.由图1可以看出，SiOz.ZnS.MgFz 和晶体硅的折射率在350~600 nm 波长范围内随着波长的变化均存在较大变化。在这个波长范围，SiOz.ZnS.MgFz.三种减反射膜材料的折射率随着波长的增加单调减小，而晶体硅的折射率在这个波长范围出现一个极大值。因此，可以预期折射率色散效应对晶体硅太阳电池反射率的影响是值得考虑的。
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