为了充分利用 ARM 内核强大的处理功能,应当使用快速的程序和数据存储器。但是,静态 RAM 足够
快,完全可以支持一个周期内最高速度的读写访问,因此,Flash 存储器的速度显著降低。
ARM7TM 系列内核要求每个周期执行一条指令。在 0.18um 的技术工艺中,器件的工作频率约为 80MHz,
即每 12.5ns 执行一条 32 位的指令。但是,执行一次 Flash ROM 访问需要 50ns,使能的最大工作频率为
20MHz。为了弥补这一点,半导体制造商使用了许多不同的方法,其中一种就是在微控制器中增加以下功
能:
1. 将最大时钟频率限制为 20MHz
2. 访问 Flash 过程中插入等待周期
3. 使用一个指令缓存区
4. 将程序代码从 Flash 复制到 RAM
前两种方法适用于要求低成本的系统;但是,由于 CPU 速度和过低的存储器寻址速度两者不对称,微
处理器会浪费一些特性。
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