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基于SOI高压集成技术的电平位移电路及器件的设计
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2017-11-06
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本文设计了一种应用于负电源的电平位移电路。实现从 0～8V 低压逻辑输入到 8～-100V 高压驱动输出的转换。分析了该电路的结构和工作原理。基于此电路结构设计了满足应用要求的高压薄膜 SOI LDMOS 器件。分析了器件的工作状态以及耐压机理，并利用工艺器件联合仿真对器件的电学特性进行了优化设计。
随着智能功率 IC 的发展．其应用领域和功能都在不断地扩展。而作为智能功率 IC 中的重要一类栅驱动 IC 在功率开关、显示驱动等领域得到广泛应用。在栅驱动电路中需要电平位移电路来实现从低压控制输入到高压驱动输出的电平转换。而在一些领域如 SOC 中的待机模式激活、ESD 保护等需要能工作在负电源的电平位移电路。
SOI（Silicon-On-Insulator）技术以其高速、低功耗、高集成度、极小的寄生效应以及良好的隔离等特点，在集成电路设计应用中倍受青睐。其优良的介质隔离性能使得智能功率 IC 中高低压器件的隔离更为完善。
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