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具有RESURF的LDMOS器件设计

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:1.11 MB | 2017-11-08

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　　LDMOS器件设计中，常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LD-MOS器件，围绕当获得最优的器件结构时，其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开研究，给出了一种关于外延层单位面积杂质密度Ntot的近似解析表达式、，经过大量的模拟仿真及数据分析，发现在最优器件结构中均匀掺杂的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度存在有规律的函数关系。最终，通过综合分析影响器件的关键因素，得到了最优器件的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度的关系函数。

具有RESURF的LDMOS器件设计

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