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超深亚微米IC设计中的天线效应
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2009-12-19
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超深亚微米IC设计中的天线效应
李蜀霞 刘辉华 赵建明 何春
(电子科技大学电子电子科学技术研究院 成都 610054)
【摘要】本文主要分析了超深亚微米集成电路设计中天线效应产生机理及其消除方法，同时还给出了天线比率的具体计算方法。将这些方法应用于雷达信号处理SOC 芯片后端设计中，解决了设计中存在的天线效应问题，保证了一次流片成功。
关 键 词： 天线效应 栅氧 超深亚微米
中图分类号： 文献标识码
Antenna Effect in VDSM IC Design
Lishuxia Liuhuihua Zhaojianming Hechun
(Research Institute of Electronic Science and Technology of UESTC ChengDu 610054)
Abstract: The paper analyzed the mechanism and elimination methods of Process Antenna Effect in Ultra-deep submicron IC design, also provided the antenna ratio calculation mehod.And these methods were adopted in “CC0MP Radar SOC” layout design successfully.
Key words: PAE gate-oxide VDSM
李蜀霞 刘辉华 赵建明 何春
(电子科技大学电子电子科学技术研究院 成都 610054)
【摘要】本文主要分析了超深亚微米集成电路设计中天线效应产生机理及其消除方法，同时还给出了天线比率的具体计算方法。将这些方法应用于雷达信号处理SOC 芯片后端设计中，解决了设计中存在的天线效应问题，保证了一次流片成功。
关 键 词： 天线效应 栅氧 超深亚微米
中图分类号： 文献标识码
Antenna Effect in VDSM IC Design
Lishuxia Liuhuihua Zhaojianming Hechun
(Research Institute of Electronic Science and Technology of UESTC ChengDu 610054)
Abstract: The paper analyzed the mechanism and elimination methods of Process Antenna Effect in Ultra-deep submicron IC design, also provided the antenna ratio calculation mehod.And these methods were adopted in “CC0MP Radar SOC” layout design successfully.
Key words: PAE gate-oxide VDSM
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