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p柱浮空的超结IGBT器件的设计案例
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2023-08-08
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摘要: 针对传统结构超结 IGBT 器件在大电流应用时的电导调制效应较弱，削弱了 IGBT 器 件低饱和导通压降优点的问题，设计了 p 柱浮空的超结 IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT) 。采用深槽刻 蚀和回填工艺制备了 p 柱和 p 体区分离的超结 IGBT 器件。测试结果表明，该器件击穿电压高于 660 V，在导通电流 20 A 时，其饱和导通压降为 1. 7 V，相比于传统超结 IGBT 器件更低，关断 能量为 0. 23 mJ，远低于传统超结 IGBT 器件的 3. 3 mJ，较低的导通压降和关断能量使得 FP-SJIGBT 器件的电流密度可达 449 A/cm2 。此外，在 400 V 直流母线电压下，FP-SJ-IGBT 器件具有 不低于 10 μs 的短路时间。
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