随着低功耗设计(包括电池供电设备)的不断发展,在设计低功耗振荡器方面已经取得了更大的成就。对于需要在所有状态(包括休眠、深度休眠和VBAT模式)下保持RTCC的应用,辅助振荡器电路的电流消耗成为整个系统级应用设计的关键。由于辅助振荡器设计的改进,Microchip单片机上的辅助振荡器己实现400 nA(典型值)的振荡电流。这使得选择正确的晶振来匹配低功耗辅助振荡器更加重要。
本文档为32 kHz低功耗辅助振荡器的晶振选择提供相关指南。不应将本文档作为晶振选择的唯一标准。建议根据晶振供应商的产品特性选择振荡器。
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