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如何使用模数转换器来实现偏置电压控制的详细中文资料概述
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2018-05-25
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LDMOS 晶体管为 CMOS 器件，用于高频和高功率的应用。这些器件广泛应用于 RF 功率放大器应用，例如 GSM 和 CDMA 移动电话基站、雷达、CATV 和便携式无线设备。这些器件在工作时由于热载流子注射效应而在漏-栅区域聚集电荷，导致在施加固定栅极偏置电压（VGS）时，其静态电流（IDQ）会随温度变化而产生显著漂移。
IDQ 随栅极偏置电压和温度变化而成比例变化。为保持具有最大输出功率同时具有良好的线性度，需要在整个工作温度范围内保持 IDQ 处于恒定值。为达到此目标，栅极偏置电压需要在工作时进行调整，以补偿温度变化产生的影响。
对于基站功放模块 （power amplifier module， PAM）应用，工程师通常在电路中选用模数转换器（Digital-toAnalog Converter， DAC）来实现偏置电压控制。在实际应用中，偏置电压控制电路使 IDQ 稳定在 ±4% 变化范围内。本应用笔记介绍了如何使用模数转换器来实现偏置电压控制。
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