×

用于FED和PDP平板显示高压驱动电路的CMOS器件

消耗积分:10 | 格式:rar | 大小:266 | 2010-05-06

訾存贵

分享资料个

摘要：在Synopsys TCAD软件环境下，结合中国科学院微电子研究所0．8Um标准CMOS工艺条件对于高压CMOS器件进行了工艺和器件模拟。由于考虑到与标准CMOS工艺的兼容性，高压CMOS器件均采用LDMOS结构；根据RESURF技术，对于器件的漂移区进行了优化。器件模拟结果表明，高压NMOS器件源漏击穿电压为220V；阈值电压和驱动能力分别为0．8V和1×10的4次方A／Um。高压PMOS器件源漏击穿电压为一135V；阈值电压和驱动能力分别为-9．7V和1．8×10的4次方A／Um。高压CMOS器件的研制可为进一步研制FED和PDP平板显示高压驱动电路奠定基础。
关键词：显示驱动；高压CMOS器件；0．8Um CMOS工艺；模拟
下载并关注上传者 低至0.43元/天 开通VIP 免费下载

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉

评论(1)
发评论
yuyongzhao 2012-04-01
0 回复 举报
now ！learning ！ 收起回复

下载排行榜

全部1条评论

快来发表一下你的评论吧 !