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实现256MB超大规模集成电路的关键工艺-RVD法

消耗积分:5 | 格式:rar | 大小:102 | 2010-05-30

久醉不醒

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日本日立制作所的中央研究所与日本法政大学工学部最近联台开发成功一项制作厚度为50Mn以下的杂质引入层(PN结台)的新工艺，这是实现256MB以上的超细微大规模集成电路必不可缺的关键技术。目前已确认用该工艺研制成功的元件具有良好的电气特性，无电流漏泄现象。而用传统的离子注入法则难以生产出如此高浓度的浅层结合，故可以说该工艺的间世对实现下一代新元件具有重要的意义。
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