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高压LDMOS功率器件的研究

消耗积分:5 | 格式:rar | 大小:192 | 2010-07-14

fansz

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提出了一种适用于高低压电路集成的LDMOS器件结构，采用Double RESURF技术和场板技术，耐压可达700伏。本文借助二维器件模拟软件MEDICI，分析了器件的参数对击穿电压和导通电阻的影响，从而实现了器件的高耐压和低导通电阻的要求。
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