本文主要从下面四个方面(温度量测方法,结点温度测试方法,应用实例,误差根源)对结点温度量测的进行探讨。
半导体结点(从IC中数以百万计的晶体管到实现高亮度LED的大面积复合结点)可能由于不断产生的热而在早期发生故障。当特征尺寸缩小且电流要求提高时,这将成为一个非常严重的问题,甚至正常操作也可能聚积热量,使结点温度升高。温度上升可能增加结点内的缺陷数量,从而导致器件的性能下降、生命周期缩短。
采用四线测量方法或者Kelvin测量方法将SMU与器件相连接。通过感应DUT[device under test]周围而不是SMU[源测量单元]source measure unit.输入端的电压,四线电压测量能降低电压测量中由引线电阻导致的误差。
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