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基于TCAD的低压沟槽MOSEFT栅漏电荷的研究

消耗积分:5 | 格式:rar | 大小:243 | 2010-08-02

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对于低压功率沟槽MOSFET的开关性能，栅－漏电荷Qgd是一个重要的参数。本文利用数值模拟软件TCAD（器件与工艺计算机辅助设计），研究了氧化层厚度、沟道杂质分布、外延层杂质浓度及沟槽深度等参数对功率沟槽MOSFET的栅－漏电容Cgd的影响以及栅－漏电荷Qgd在开关过程中的变化，指出了在工艺设计上减小栅－漏电容Cgd, 降低器件优值，提高开关性能的途径。
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