该产品采用 H 桥电路结构设计,采用高可靠性功率管工艺,特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET,工作电压范围覆盖 2V 到 8V。27℃,VDD=6.5V,两个通道同时工作的条件下,1 通道最大持续输出电流达到 1.45A,最大峰值输出电流达到 3A;2 通道最大持续输出电流达到 1.45A,最大峰值输出电流达到 3A。
该电路为功率器件,本身具备一定内阻,电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路,实时监控芯片内部发热,当芯片内部温度超过设定值时,产生功率管关断信号,关闭负载电流,避免因异常使用导致的温度持续升高,进而造成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置的温度迟滞电路,确保电路恢复到安全温度后,才允许重新对功率管进行控制。
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