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沉积氧气压力对纳米晶硅光致发光的影响
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2010-08-03
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用脉冲激光(Nd:YAG 激光)沉积技术在硅基上沉积富硅SiO2薄膜(SiOx,x<2)，沉积时氧气压力分别为1.33，2.66，3.99，5.32，6.65，7.98Pa，膜的厚度约为300nm。随后，在氩(Ar)气中1000℃的温度下对沉积的SiOx薄膜进行热退火处理30min，使在SiO2薄膜中生长出硅纳米晶。用光谱分析仪分析其在室温下的光致发光(PL)光谱时发现，随着沉积氧气压力的增强，峰值波长在减小(即蓝移),表明纳米晶硅颗粒在减小；同时，在本研究中的制作条件下，PL强度与沉积氧气压力有较强的依存关系，在2.66-3.99Pa的氧气压力条件下沉积制作的试样，得到最大的PL强度。
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