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硅晶片抛光加工工艺的实验研究

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:314 | 2010-09-16

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双面抛光已成为硅晶片的主要后续加工方法,但由于需要严格的加工条件,很难获得理想
的超光滑表面。设计了硅片双面抛光加工工艺新路线,并在新研制的双面抛光机上对硅晶片进行抛光加
工,实验研究了不同加工参数对桂晶片表面粗糙度和材料去除率的影响。采用扫描探针显微镜和激光数
字波面干涉仪分别对加工后的硅晶片进行测量,实验结果表明:在优化实验条件下硅晶片可以获得表面
粗糙度0.533nm 的超光滑表面。

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