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碳化硅衬底和MEMS晶圆的研磨抛光技术
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2023-02-20
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在半导体和LED的制造中，需要研磨以使晶片的厚度变薄，以及抛光以使表面成为镜面。在半导体器件的制造中，半导体制造 工艺包括:（1）从晶体生长开始切割和抛光硅等，并将其加工成晶片形状的工艺（晶片制造工艺）；（2）在晶片上形成IC的 工艺（前一工艺）；以及（3）切割、组装、检查和安装芯片的工艺（后一工艺）。在晶片制造过程中，通过双面研磨、单面 研磨、蚀刻等对从晶锭切片的晶片进行厚度调节，以消除加工表面的变形，然后将晶片加工成镜面。此外，存在用于使在前一 工艺中制造的具有图案的晶片的厚度均匀且薄的后研磨工艺。在背面研磨之后，在切割过程中进行芯片化，并且在后处理中进 行安装。研磨工艺和切割工艺是前一工艺和后一工艺之间的中间工艺，是提高附加值的中间工艺，如晶片减薄，应力消除，以 MEMS（微机电系统）晶片制造为代表的深挖蚀刻，减薄和重新布线。
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