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LED阵列的设计和制作工艺研究
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2010-12-16
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L ED 微显示器件作为一种全固体的主动发
光器件,具有工作电压低、发光效率高、响应速度
快、性能稳定可靠、工作温度范围宽等许多优
点[1 ,2 ] 。自1998 年德国亚琛工业大学采用湿法腐
蚀方法在Al Ga InP 发光芯片上制作发光二极管
阵列的初步研究以来[3 ] , L ED 微显示器件的研究
取得了突破性进展。2001 年,美国堪萨斯州立大
学利用L ED 阵列技术研制出具有InGaN/ GaN
量子阱结构、像素直径为12 μm 的10 ×10 蓝色
微型半导体阵列显示器件[4 ] 。2004 年,英国斯特
拉思克莱德大学利用干法刻蚀工艺制作出了蓝色
GaN 发光二极管阵列[ 5 ] ,因采用ICP 刻蚀技术,
所研制的发光二极管阵列与常规方法相比具有更
好的光学、电学性能和更高的一致性。L ED 阵列
技术意味着可以在很小的面积上集成很多发光像
素,并且可以采用成熟的阵列寻址方式驱动器件
工作,因此L ED 微显示器是具有产业化前景的研
究方向。
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