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模块是一个设计术语,是指集成电路分块化的形容。
BCM54811S BroadR-Reach®单端口10/100 / 1000Base-T收发器
描述 Broadcom® BCM54811S是一款三速10/100 / 1000BASE-T千兆以太网(GbE)收发器,集成在单个单芯片CMOS芯片
BCM5315X FAMILY 超低功耗GE交换机10GE上行链路端口
描述 Bradcom的BCM5315X是一系列高度集成的以太网交换机,专为低功耗SMB,企业,服务提供商和工业应用而设计,可快速转换以及千兆以太网连接及以
BCM54811 BroadR-Reach®单端口10/100 / 1000Base-T收发器
描述 Broadcom® BCM54811是一款集成在单片CMOS芯片中的三速10/100 / 1000BASE-T千兆以太网(GbE)收发器。该器
BCM53154 超低功耗五端口GbE时间敏感网络交换机
描述 Broadcom® BCM53154是下一代超低功耗五端口GbE交换机。 BCM53154基于新的28-nm RoboSwitch&trad
BCM53570 1G / 2.5G / 10G / 25G TSN连接交换机
描述 Broadcom ® StrataConnect&章; BCM53570片上系统(SoC)具有集成的高速ARM Cortex-A9处理器,嵌
BCM53118 具有8个集成10/100/1000 PHY的9端口GbE交换机
描述 高度集成,经济高效的千兆交换机。 交换机设计基于经过现场验证的业界领先的BCM5398 。 BCM53118将高速交换机系统的所有功能(包
BCM5395 具有五个集成PHY和LoopDTech的五端口GbE交换机和交易;
描述 高度集成,经济高效的千兆交换机。 BCM5395将高速交换机系统的所有功能(包括5个全双工10/100/1000 BASE-T / TX以太网收发器,数
BCM5421XE FAMILY 10/100 / 1000BASE-T千兆以太网收发器
描述 三速1000BASE-T / 100BASE-TX / 10BASE-T节能以太网(IEEE 802.3az)千兆(GbE)收发器集成在单个单芯片CMO
PEX 8604 4通道,4端口PCI Express Gen 2(5.0 GT / s)开关,15 x 15mm PBGA
描述 ExpressLane™ PEX 8604设备提供4个PCI Express Gen 2(5.0 GT / s)通道,最多支持4个端口。该
PEX 8605 4通道,4端口PCI Express Gen 2(5.0 GT / s)开关,10 x 10mm QFN
描述 ExpressLane™ PEX 8605设备提供4个PCI Express Gen 2(5.0 GT / s)通道,最多支持4个端口。该
PEX 8603 3通道,3端口PCI Express Gen 2(5.0 GT / s)开关,10 x 10mm QFN和14 x 14mm TQFP
描述 ExpressLane™ PEX 8603设备提供3个PCI Express Gen 2(5.0 GT / s)通道,最多支持3个端口。该
BCM54501 Broadcom®BCM54501器件是Broadcom首款完全集成的BroadR-Reach®多层交换机,可支持工业网络应用。
描述 Broadcom® BCM54501器件是Broadcom首个完全集成的BroadR-Reach®多层交换机,支持工业网络应用。 BC
293BNXXX 293BNxxx
描述 293BN系列是单模边缘发射激光二极管芯片,CWDM波长范围为1270 nm至1330 nm,适用于高达10.3 Gb / s的非制冷应用。该设计是在
SPD2014-4X GaAs 1×4阵列PIN光电二极管
描述 SPD2014-4X是一款台面结构,基于GaAs的1× 4 PIN光电二极管阵列,具有高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高电容性能
241SLX 241SLx
描述 241SLx系列是具有LAN-WDM波长的单模,边缘发射激光二极管芯片,用于25 Gb / s或28 Gb /的应用秒。该设计是在n型衬底上生长的带帽
241LT 241LT
描述 241LT是一款1310nm单模,边发射,短腔,光斑尺寸转换DFB激光二极管芯片,适用于高达16Gb / s的应用。该设计是在n型衬底上生长的带帽的台
241SP 241SP
描述 241SP系列是具有PSM-4波长的单模边缘发射激光二极管芯片,适用于25 Gb / s或28 Gb / s的应用。该设计是在n型衬底上生长的带帽的台
293B20 293B20
描述 293B20系列是一种单模,边发射激光二极管芯片,波长范围为1310nm,适用于密封或非密封环境中的外部调制器。该设计是在具有多量子阱(MQW)有源层
241S1XX 241S1xx
描述 241S1xx系列是具有CWDM4波长的单模,边缘发射激光二极管芯片,适用于25 Gb / s或28 Gb / s的应用。该设计是在n型衬底上生长的带
295P20 295P20
描述 295P20系列是一种1550nm波长的单模,边缘发射激光二极管芯片,可用于密封或非密封环境中的外部调制器。该设计是在n型衬底上生长的带帽的台面掩埋异
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