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IRF3205的HEXFET功率MOSFET

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.09 MB | 2017-06-27

我是动感

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该资料主要是针对飞思卡尔智能车比赛要用的硬件设计。感兴趣的同学可以了解一下。

描述

先进的HEXFET功率MOSFET®国际整流器采用先进的加工工艺实现极低的每硅区电阻。这效益,结合快速开关速度和坚固耐用的设备设计的HEXFET功率MOSFET众所周知,为设计师提供了一个极其高效率和可靠的设备,用于各种各样的应用。

在TO - 220封装普遍首选的所有功耗的工业应用水平约为50瓦。较低的热电阻的TO - 220封装成本低的贡献在业界广受欢迎。

 

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