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IRF3205 HEXFET功率MOSFET的数据手册免费下载

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.09 MB | 2020-07-17

陈伟生

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  说明

  来自国际整流器的先进的HEXFET功率mosfet采用先进的加工技术,以实现每硅面积极低的导通电阻。这种优点,再加上HEXFET功率mosfet的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计者提供了一种非常高效和可靠的器件,可用于各种各样的应用。

  TO-220封装是所有商业工业应用的普遍首选,功率消耗水平约为50瓦。TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业中的广泛接受。

  先进工艺技术

  超低导通电阻

  动态dv/dt额定值

  175°C工作温度

  快速切换

  完全雪崩额定值

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qdznkj1815 2022-08-23
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http://house.china.com.cn/sousou/%25C9%25CF%25B7%25D6%252C%2B%25B9%25FB%25B8%25D2%25B5%25CF%25CD%25FE%25BC%25AF%25CD%25C5B2024.cN%252C%25BD%25F5%25D6%25DD%25CE%25C0%25CA%25D3_1s.htm http://house.china.com.cn/sousou/%25C6%25BB%25B9%25FBAPP%252C%2B%25C3%25E5%25B5%25E9%25D3%25C0%25F6%25CE%25B9%25FA%25BC%25CA%25B6%25B7%25C5%25A3B2024.cN_1s.htm http://house.china.com.cn/sousou/%25C6%25F3%25D2%25B5%252C%2B%25B2%25FD%25CA%25A2%25B9%25FA%25BC%25CA%25D3%25E9%25C0%25D6%25B3%25C7B2024.cN_78s.htm http://house.china.com.cn/sousou/%25B9%25D9%25B7%25BD%252C%2B%25C3%25E5%25B5%25E9%25D3%25F1%25BA%25CD%25B9%25FA%25BC%25CAB2024.cN_5s.htm http://house.china.com.cn/sousou/%25D4%25DA%25CF%25DF%252C%2B%25C3%25E5%25B5%25E9%25D3%25C0%25F6%25CE%25B9%25FA%25BC%25CA%25D3%25E9%25C0%25D6B2024.cN%252C%25D3%25A5%25CC%25B6%25BD%25DA%25C4%25BF%25B1%25ED_2s.htm 收起回复

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