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如何进行低压差线性稳压器LDO电路的分析与设计
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随着信息技术的飞速发展，电源管理产品的应用越来越广泛，LDO（Low DropoutRegulator，LDO）产品以其独特的优势被大量使用，例如高的电源抑制比，低的待机功耗，低的Dropout电压，低的输出噪声，以及非常少的外围器件等等，特别在便携类产品方向，具有很高的研究价值。
本文先简要介绍了LDO电路的系统架构，然后分析了LDO芯片的主要性能指标：Dropout电压、线性调整率、电源抑制比、负载调整率与瞬态响应：然后重点介绍了已有的提高LDO电路PSRR的设计，以及系统环路的小信号建模的方法：最后根据介绍的方法，提出了一种高PSRR带隙基准电路的设计，以及利用一种新颖的动态补偿的方法实现环路稳定性的设计。本文主要对LDO电路的各子模块：快速启动电路，带隙基准电路，驱动电路，电压反馈环路以及过温与过流电路进行了设计与分析，并使用Cadence公司的仿真工具Spectre进行了电路的仿真验证，并使用Cadence的布局布线工具Virtuoso进行了版图的设计。
本文采用华润上华的0.5um CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）工艺平台上进行了工程批试产，经过样品测试，低频下芯片的电源抑制比可以达到70dB以上，同时在空载到重载范围内工作稳定，且具有良好的动态响应，可以在多种应用上取代国外厂商的同类芯片，为系统产品降低了成本，带来了较好的经济效益。
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