先上一个开关 MOS 的 DS 波形
假设在一台数字示波器上只看到这一点波型,知道变压器电感量为 1mH, 通过从示波器上测量和计算,得出下列数值(只讲解方法就行了) 大约的交流输入电压值次级反到初级的电压占空比变压器漏感变压器和 MOS 的总杂散电容变压器传送的能量明显反激,而且是断续模式刚开始是漏感震荡,后来是电感和 mosfet 的电容震荡前一个直流电压是 Vin+(Np/Ns)(Vo+VF(二极管导通压降)) 后一个就是 Vin 后一个震荡的周期可以算出 Cds 大小高压时 MOS 的 Cds 很小,振荡的电容主体是变压器杂散电容。根据反射电压,反射电压持续时间,输入电压就可以计算导通时间,占空比也就出来了(伏特秒平衡),Vref*Tvref=Vin*Ton 4,5 问如我上所说,只有一个大概的估算参考大家的理解,谈谈我的看法:当 MOS 管电压上升到 A 点时,输出整流管导通,初级励磁电感箝位于 V1。此时,漏感和杂散电容谐振,由于变压器线圈存在直流和交流电阻,该振荡位阻尼振荡,消耗了漏感中的能量在 B 点时,励磁电感中电流下降为零,次级整流管自然截止,励磁电感上电压下降为零。励磁电感和杂散电容谐振,MOS 管的杂散电容 Coss 向励磁电感放电,Vds 电压下降,可从波形中得到验证。
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