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利用C2000™ 实时MCU 提高GaN 数字电源设计实用性

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:130.0KB | 2022-02-08

李英

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与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功率密度。
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