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SiC碳化硅功率器件测试哪些方面
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2023-02-16
张浩
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SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点，被广泛应用在电动汽车、风能发 电、光伏发电等新能源领域。 近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测 基地。 目前常用的SiC碳化硅功率半导体器件主要包括：碳化sbd(schottkybarrierdiode，肖特基二极管)与碳化硅mosfet(metal-oxidesemiconductor field-effect transistor，金属氧化物半导体场效应管)，其中碳化硅mosfet器件属于单级器件，开通关断速度较快，对 栅极可靠性提出了更高的要求，而由于碳化硅材料的物理特性，导致栅级结构中的栅氧层缺陷数量较多，致使碳化硅mosfet器 件栅极早期失效率相比硅mosfet器件较高，限制了其商业化发展。为提高碳化硅mosfet器件栅级工作寿命，需要对碳化硅功率半 导体器件进行基于栅极的测试，在将碳化硅功率半导体器件寿命较低的器件筛选出来，提高碳化硅功率半导体器件的使用寿 命。
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