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碳化硅薄膜的选择性刻蚀

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.22 MB | 2023-02-20

周棠亨

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摘要 一种用非金属掩模层蚀刻碳化硅的方法。该方法包括提供碳化硅基底；通过在基底上施加一层材料来形成非金属掩模层；形成掩模层以暴露基底的底层区域；并以第一速率用等离子体蚀刻基底的底层区域，同时以低于第一速率蚀刻掩模层。 介绍 本文涉及半导体处理方法，特别是涉及碳化硅半导体的处理技术。碳化硅）由于其较大的能带隙和高击穿场，是高温度、高功率电子器件的重要材料。
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