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SIC碳化硅MOSFET的制造工艺

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:3.92 MB | 2023-03-31

擒不住你的心

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背景：随着Si器件越来越逼近Si材料性能极限，20世纪90年代第三代半导体材料SiC由于其优异的电学性能，开始被科 研工作者关注并开始相关研究

1、Eg : 较大禁带宽度意味着较低的本征漏电流和较高工作温度
2、Ecrit : 较大临界击穿电场意味着漂移区更多的电子数( ND=ɛr*ɛ0*Ecrit/ wdrift )和相同尺寸具有更高的耐压
3、ɥn : 电子迁移率和导通电阻具有以下关系:RDS(on)=wdrift/(q*ɥn*ND ) 4、λ : 较高的热导率意味着更高的功率密度

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jf_39870553 2023-12-14
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