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第4世代SiC MOSFET使用应用优势

消耗积分:5 | 格式:pdf | 大小:3.07 MB | 2022-05-14

王晓伟

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电动汽车（EV）、数据中心、基站、智能电网等为了提高了便利性，电源的高电压化和大容量化正在进行中。然而，从保 护地球环境的角度来看，提高便利性之外，减少了电力转换部的损失，有效地使用也变得越来越重要。因此，能够进行高频动作， 并且高电压大容量能量损失少的 SiC 功率半导体备受关注。罗姆发布了第 4 代 SiC MOSFET，是第 3 代 SiC MOSFET 的沟槽栅 结构进一步演进，将导通电阻降低约 40%，开关损失降低约 50%。在本应用笔记中，使用第 4 代 SiC MOSFET，进行了 500V 输 入 7kW 降压型 DC-DC 转换器的实机验证、EV 的 800V 输入 100kW 的牵引逆变器的模拟行驶试验、以及 Totem-pole PFC 的实 机评价，确认了其有用性，特此报告。
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