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SiC MOSFET学习笔记(四)SiC MOSFET传统驱动电路保护

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.15 MB | 2023-02-27

麻酱

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SiC MOSFET作为第三代宽禁带器件之一，可以在多个应用场合替换 SiMOSFET、IGBT，发挥其高频特性，实现电力设备高 功率密度。然而被应用于桥式电路时，由于较高的 di/dt 与 du/dt 容易产生电压电流尖峰、振荡、上下管直通或超过负向安全电 压，干扰驱动电路输出电压等问题。因此为了保障 SiC MOSFET安全可靠性的运行，需从驱动侧对 SiC MOSFET进行有效保 护。
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