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SiC MOSFET学习笔记(五)驱动电源调研

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:0.83 MB | 2023-02-27

倪山骋

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3.1 驱动电源SiC MOSFET开启电压比Si IGBT低，但只有驱动电压达到18V～20V时才能完全开通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs对比 Cree的产品手册中单管MOSFET手册推荐栅源电压-4/15V；模块给出的都是-5/20V的推荐驱动电压，实际调研过程中模块用的都是-4/20V；基于Cree三代芯片模块建议开通电压17 20V，实现更低的导通损耗，关断电压-5V
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