LED 芯片为 GaN 宽禁带材料,电阻率较高,该类芯片在生产过程中因静电产 生的感生电荷不易消失,累积到相当的程度,可以产生很高的静电电压。当超过 材料的承受能力时,会发生击穿现象并放电。蓝宝石衬底的蓝色芯片其正负电极 均位于芯片上面,间距很小;对于 InGaN/AlGaN/GaN 双异质结,InGaN 有源层仅 几十纳米,对静电的承受能力很小,极易被静电击穿,使器件失效。GaN 基 LED 和传统的 LED 相比,抗静电能力差是其鲜明的缺点,静电导致的失效问题已成为 影响产品合格率和使用推广的一个非常棘手的问题。