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如何用等效密度 NV SRAM 模块替换 DS1213 SmartSocket

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:109.93KB | 2022-11-18

蒲泛粟

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介绍介绍DS1213 SmartSocket 产品已达到DS1213 SmartSocket 产品已达到,可以使用引脚兼容的等效密度 5V NV SRAM 模块产品进行更换。使用该替换模块产品,客户将安装一个完整的一体式内存解决方案,保证提供至少 10 年的数据保留寿命。替换产品很容易使等效的基于 SmartSocket 的配置的使用寿命延长一倍。,可以使用引脚兼容的等效密度 5V NV SRAM 模块产品进行更换。使用该替换模块产品,客户将安装一个完整的一体式内存解决方案,保证提供至少 10 年的数据保留寿命。替换产品很容易使等效的基于 SmartSocket 的配置的使用寿命延长一倍。更换决定更换决定随着任何密度的 PDIP SRAM 产量的减少,确定替代产品的决定可能会因寻找兼容存储芯片的采购问题而加速。DS12xx 系列的 NV SRAM 模块包括一个功耗极低的 SRAM 组件,从而消除了过去的双组件采购要求。这些模块的“AB”版本允许 ±5% 的工作电源容差,这与之前配备 DS1213 的装置的电气特性相匹配。随着任何密度的 PDIP SRAM 产量的减少,确定替代产品的决定可能会因寻找兼容存储芯片的采购问题而加速。DS12xx 系列的 NV SRAM 模块包括一个功耗极低的 SRAM 组件,从而消除了过去的双组件采购要求。这些模块的“AB”版本允许 ±5% 的工作电源容差,这与之前配备 DS1213 的装置的电气特性相匹配。在现有应用中,DS1213 SmartSocket 和某些版本的客户采购的 SRAM 可在没有外部电源的情况下提供非易失性存储器阵列用于数据存储。SRAM 规范将是一个很好的参考,用于确定两个替代标准,这两个标准将决定购买哪个速度等级的模块:内存密度和基于内存性能的信息。在现有应用中,DS1213 SmartSocket 和某些版本的客户采购的 SRAM 可在没有外部电源的情况下提供非易失性存储器阵列用于数据存储。SRAM 规范将是一个很好的参考,用于确定两个替代标准,这两个标准将决定购买哪个速度等级的模块:内存密度和基于内存性能的信息。客户应首先研究当前安装的内存配置,然后参阅客户应首先研究当前安装的内存配置,然后参阅表 1表 1以获取合适的更换组件。以获取合适的更换组件。表 1. SmartSocket 替代产品表 1. SmartSocket 替代产品智能插座智能插座SRAM 密度/配置

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