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IGBT静态参数测试系统
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2023-02-24
邹俩珍
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现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导 地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及高性能之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、 航天、铁路、电力转换…等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。 半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤 其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生爆炸。所以对新产品及使 用中的元件参数的筛选及检查更为重要。针对IGBT而言，IGBT是广泛应用于现代中大功率变换器中的主流半导体开关器件。 其中，城市轨道交通车辆的牵引逆变器、辅助逆变器等重要电气设备中，大量使用了IGBT器件，IGBT器件的各种静态参数为 使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据，因此准确测量IGBT的各种静态参数具有极其重要的实际意义。
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