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RTD与PHEMT集成的关键工艺

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:144 KB | 2011-06-24

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在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上,研究和分析了分立器件的制作工艺,给出了分立器件的制作工艺参数.利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性.测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1.78;PHEMT器件的最大跨导约为120mS/mm,在Vgs=0.5V时的饱和电流约为270mA/mm.这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础.
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