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600-650 V MDmesh DM9：快速恢复SJ功率MOSFET提高了效率和稳健性
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2023-08-01
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新型硅基SJ MOSFET系列采用快速本征体二极管，为全桥相移ZVS拓扑提供理想的效 率和可靠性。这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复 电荷（Qrr）和超快快恢复时间（t rr），以及出色的 品质因数（RDS(on) x Qg ），能够为要求严苛的桥式拓 扑和ZVS相移转换器带来极高的效率和功率水平。 这些快速恢复硅基功率MOSFET的器件适用于工业 和汽车应用，提供广泛的封装选项，包括长引线 TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封装。
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