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HXMC65N70F1 N沟道碳化硅功率MOSFET

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:599.25 KB | 2026-06-12

腾震粤电子
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■■ 特性  
●● 宽禁带碳化硅（SiC）MOSFET技术。  
● 低导通电阻，高阻断电压。  
● 低电容，高速开关。  
● 低反向恢复电流（Qrr）。  
●● 易于并联，驱动简单。  
●● 即使在0V关断时，也能有效抑制寄生导通。  

参数 | | | 值 | | 单位  
DS | 650 V |  
DS(on)_typ@VGS=18V | 65 mΩ |  
D@VGS=15V,TC=25°C | 60 A |  

■ 优势  
●● 减少开关损耗。  
● 提高系统开关频率。  
●●● 增加功率密度。  
●● 减少散热器需求。  
● 降低电磁干扰（EMI）。  

■■ 应用领域 ITO-220AB  
● 开关电源。  
●● 高压DC/DC转换器。  
● 电池充电器。  
● 电机驱动器。  
●●● 脉冲功率应用

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