小型化无源元件内埋技术是实现系统集成封装(SIP)的重要手段。本文基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术,在传统平行板单π模型基础上,结合寄生效应和工艺参数,将LTCC内埋置电容的引出端和通孔分别提取作为修正参数,建立一种适用于SIP内埋置电容的单π修正模型,通过优化仿真,该模型应用频率范围可以准确到7GHz,远超过电容的自谐振频率,具有简单实用,准确度高等优点,对LTCC内埋置技术基础研究具有参考价值
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