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功率器件芯片封装和静电放电失效分析

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:682 KB | 2011-12-22

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针对一般失效机理的分析可提高功率半导体器件的可靠性. 利用多种微分析手段, 分析和小结了功率器件芯片的封装失效机理. 重点分析了静电放电( electrostatic d ischarge, ESD)导致的功率器件失效, 引入了ESD电热理论模型. 实验证明, 该模型能快速准确地分析金属引线的抗ESD强度.
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