×

普赛斯仪表 | 半导体分立器件电性能测试解决方案

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.71 MB | 2024-06-06

武汉普赛斯仪表有限公司

  • 32内容
  • 5.4k阅读
  • 2粉丝

        实施半导体分立器件特性参数分析的最佳工具之—是数字源表(SMU)。数字源表可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表,还可用作精密电子负载,其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器、波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统,支持四象限工作。解决了传统多台测试仪表之间编程、同步、接线繁杂及总线传输慢等问题。

 

常见测试

       半导体分立器件包含大量的双端口或三端口器件,如二极管、晶体管、场效应管等。直流I-V曲线是表征微电子器件、工艺及材料特性的基石。分立器件的种类繁多,引脚数量及待测参数各不相同。除此以外,新材料和新器件对测试设备提出了更高的要求,要求测试设备具备更高的低电流测试能力,且能够支持各种功率范围的器件。

1、二极管特性的测量与分析

2、双极型晶体管BJT特性的测量与分析

3、MOSFET场效应晶体管特性的测量与分析

4、MOS器件的参数提取

 

      普赛斯“五合一”高精度数字源表(SMU)可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !